隨著市場(chǎng)對(duì)于顯示的需求不斷邁向更高層次，追求視覺(jué)效果的真實(shí)性變得越發(fā)重要。未來(lái)4K、8K LED高清屏的市場(chǎng)需求將會(huì)進(jìn)入爆發(fā)期，以小間距顯示、Mini LED和Micro LED為代表的新型顯示正迎來(lái)新的技術(shù)拐點(diǎn)，技術(shù)的革新就意味著產(chǎn)業(yè)有機(jī)會(huì)重新改寫(xiě)游戲規(guī)則、重塑顯示領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)格局。

　　作為國(guó)內(nèi)LED芯片領(lǐng)域龍頭的華燦光電在Mini/Micro LED領(lǐng)域已布局良久，并取得了實(shí)質(zhì)性的進(jìn)展。

　　據(jù)了解，華燦光電的Mini-LED以及Micro-LED產(chǎn)品在外延和芯片工藝方面進(jìn)行了全方位優(yōu)化，已經(jīng)取得了多項(xiàng)技術(shù)突破和發(fā)明專(zhuān)利。

　　此前的9月，華燦光電在深圳舉行了Mini-LED新品發(fā)布暨微顯示戰(zhàn)略合作簽約儀式。

　　華燦光電相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，LED自發(fā)光顯示微縮化的核心就是Mini/Micro-LED芯片，華燦光電Mini-LED新品擁有著眾多華燦特有的技術(shù)特點(diǎn)，可以滿(mǎn)足下游客戶(hù)的需求。

　　在Mini RGB LED芯片技術(shù)優(yōu)化方面，華燦光電設(shè)計(jì)了高可靠性、高亮度的DBR倒裝芯片結(jié)構(gòu)。通過(guò)優(yōu)化PV和Mesa刻蝕工藝，使金屬連接層平滑覆蓋;優(yōu)化了電極結(jié)構(gòu)和金屬沉積工藝，設(shè)計(jì)出高可靠性的電極;并且，通過(guò)特有的混編技術(shù)，可以消除COB應(yīng)用情況下的Mura效應(yīng)。

　　同時(shí)，隨著芯片尺寸的持續(xù)減小，免錫膏封裝芯片方案將成為提高良率、降低成本的關(guān)鍵，對(duì)此華燦光電已實(shí)現(xiàn)了將錫球直接制作在Mini-LED芯片電極上的技術(shù)應(yīng)用。在紅光Mini LED芯片技術(shù)方面，華燦開(kāi)發(fā)出高鍵合良率的轉(zhuǎn)移和鍵合工藝;并設(shè)計(jì)了頂傷防護(hù)層，優(yōu)化材料沉積工藝，增強(qiáng)膜質(zhì)，保證無(wú)外延頂傷風(fēng)險(xiǎn)。

　　在背光Mini LED芯片技術(shù)方面，華燦光電優(yōu)化了膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，調(diào)節(jié)芯片出光，更易實(shí)現(xiàn)超薄設(shè)計(jì)。

　　而在Micro-LED芯片方面，華燦光電在Sub微米級(jí)的工藝線寬控制、芯片側(cè)面漏電保護(hù)、襯底剝離技術(shù)(批量芯片轉(zhuǎn)移)、陣列鍵合技術(shù)(陣列轉(zhuǎn)移鍵合)、Micro LED的光形與取光調(diào)控方面取得了較好的結(jié)果。目前所獲得的的芯片良率可以達(dá)到5個(gè)9的水平，紅光Micro LED效率也到達(dá)了國(guó)際領(lǐng)先水平，并針對(duì)不同轉(zhuǎn)移方式，可以提供多種形式的Micro LED樣品。

　　“小間距顯示技術(shù)已經(jīng)非常成熟，第三代小間距產(chǎn)品即將面世，Mini LED 倒裝RGB芯片技術(shù)已經(jīng)可以量產(chǎn)，Mini LED 背光芯片技術(shù)趨于成熟。”華燦光電副總裁李鵬認(rèn)為，Micro LED目前處在開(kāi)發(fā)當(dāng)中，需要上中下游聯(lián)合開(kāi)發(fā)。

　　李鵬表示，Micro LED顯示將應(yīng)用于電視、手機(jī)、AR/VR，車(chē)載顯示、可穿戴電子、數(shù)字顯示(商業(yè)廣告與顯示等)。

　　據(jù)了解，華燦將適時(shí)推出Micro LED顯示的所有芯片解決方案。